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源和数据中心等工业设备的电源。罗姆计划从 2026 年 7 月起开始提供配有第 5 代 SiC MOSFET 的分立器件和模块的样品。未来,ROHM 将进一步扩大产品阵容,同时完善设计工具,并强化针对应用产品设计的支持体系。广告声明:文内含有的对外跳转链接(包括不限于超链接、二维码、口令等形式),用于传递更多信息,节省甄选时间,结果仅供参考,所有文章均包含本声明。
商 ROHM(罗姆)今日宣布其在今年 3 月成功完成了第 5 代碳化硅 (SiC) MOSFET 的开发工作。相较上代,新产品通过器件结构改进和制造工艺优化在 175℃ 结温 (Tj) 下导通电阻降低约 30%。罗姆表示,在各类电动汽车 (xEV) 用牵引逆变器等需要在高温环境下使用的应用中,其第 5 代 SiC MOSFET 有助于缩小单元体积,提高输出功率。此外芯片也非常适用于 AI 服务器电
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发布时间:02:23:07